本设备通过垂直涂覆的方式，实现硅片表面的浆料涂覆。通过涂覆工艺配合控制，可实现矩形硅片的表面满涂；高带宽运动控制系统，精确引导模头升降、供料体积，行进速度，实现高一致性的平面薄膜制备；通过设备长度延长，增加硅片装载卡盘的数量，本设备可以实现高通量硅晶叠层钙钛矿涂覆。
涂覆基材范围: 166×166硅片，182×182硅片，182×91硅片，182×210硅片，210×210硅片，210×105硅片。
涂覆湿厚: ≥3um
成膜干厚精度：优于5%（@1000nm）
最大涂覆速度: 100mm/s
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